What is DRAM ?
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory，DRAM)屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)，主要的作用原理是利用晶片內電容儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。在實際應用中電容會有漏電的現象，導致電位不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保記憶資料。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為「動態」記憶體。相對來說，「靜態」記憶體(Static RAM)只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。 DRAM的記憶單元與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單，每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。因此，DRAM擁有高密度，低成本的優點，但是它也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。
DRAM: DynamicRandomAccessMemory 動態隨机存取記憶体